IMT4T108

IMT4T108属性

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IMT4T108描述

参数名称参数值
是否无铅不含铅不含铅
是否Rohs认证符合符合
生命周期NotRecommended
Objectid1499370298
零件包装代码SC-74
包装说明SMALLOUTLINE,R-PDSO-G6
针数6
ReachComplianceCodecompliant
ECCN代码EAR99
风险等级7.42
最大集电极电流(IC)0.05A
集电极-发射极最大电压120V
配置SEPARATE,2ELEMENTS
最小直流电流增益(hFE)180
JESD-30代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150°C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALLOUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散(Abs)0.3W
认证状态NotQualified
子类别OtherTransistors
表面贴装YES
端子面层Tin/Silver/Copper(Sn/Ag/Cu)
端子形式GULLWING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率(fT)140MHz
VCEsat-Max0.5V

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